參數(shù)資料
型號： NE68539-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 13/17頁
文件大小： 176K
代理商： NE68539-T1
NE685 SERIES
Parameters
Q1
7e-16
109
1
15
0.19
7.9e-13
2.19
1
1.08
12.4
Infinity
0
2
1.3
10
8.34
0.009
10
0.40e-12
0.81
0.5
0.18e-12
0.75
Parameters
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
Q1
0.34
0
0
0.75
0
0.5
2e-12
5.2
4.58
0.011
0
1e-9
1.11
0
3
0
1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
NE68533 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68533
0.13e-12
0.14e-12
0.85e-9
1.15e-9
0.15e-12
0.1e-12
0.05e-12
0.3e-9
0.3e-9
0.3e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 0.5 V to 6 V, I
C
= 0.5 mA to 20 mA
7/97
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68539R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68539-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M03 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
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NE685M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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