參數(shù)資料
型號： NE68530-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE68530-T1
500
800
1000
1500
2000
2500
1.33
1.40
1.45
1.57
1.71
1.90
19.4
15.3
13.5
10.0
7.5
5.6
0.58
0.52
0.50
0.43
0.36
0.29
13
26
33
46
54
60
0.54
0.49
0.46
0.42
0.38
0.31
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
°
C
°
C
RATINGS
9
6
2.0
30
150
-65 to +150
Note: 1.Operation in excess of any one of these parameters may
result in permanent damage.
NE68518
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(TA = 25
C)
NE685 SERIES
V
CE =
3
V
,
I
C =
3 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
3
V
,
I
C =
5 mA
1.00
1.15
1.20
1.35
1.50
1.65
21.32
16.29
14.66
11.02
8.67
7.24
0.63
0.59
0.56
0.52
0.47
0.40
26
31
39
48
53
65
0.56
0.44
0.40
0.37
0.33
0.23
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
3
V
,
I
C =
10 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
1.20
1.25
1.35
1.45
1.60
1.75
21.15
17.29
15.47
11.87
9.57
7.90
0.55
0.51
0.49
0.46
0.42
0.36
19
31
37
44
53
60
0.47
0.42
0.38
0.35
0.33
0.22
1.55
1.60
1.65
1.80
1.90
2.00
21.70
18.13
16.20
12.85
10.60
8.82
0.44
0.40
0.38
0.34
0.30
0.27
15
30
36
44
50
55
0.44
0.41
0.39
0.37
0.34
0.23
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
0.3 mA
500
800
1000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
1.0 mA
1.07
1.25
1.55
12.6
8.6
6.7
0.80
0.79
0.75
17
32
42
1.70
1.55
1.41
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68519
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(TA = 25
C)
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
3
V
,
I
C =
10 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE =
3
V
,
I
C =
5.0 mA
0.87
0.99
1.08
1.31
1.65
16.9
12.8
11.0
7.5
5.0
0.73
0.67
0.64
0.60
0.54
14
27
36
52
65
0.80
0.65
0.62
0.52
0.42
1.05
1.12
1.17
1.31
1.51
1.75
19.3
15.8
13.4
9.9
7.5
5.5
0.65
0.58
0.55
0.50
0.43
0.32
14
27
33
47
58
69
0.57
0.50
0.45
0.38
0.32
0.21
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
0.75 V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
0.25 mA
0.95
1.05
1.20
10.87
7.82
6.92
0.81
0.75
0.72
15
24
34
1.20
1.02
0.86
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68530
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(TA = 25
C)
0.97
1.15
1.25
11.28
8.64
7.62
0.82
0.76
0.73
14
24
33
1.15
1.00
0.84
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
0.75 mA
500
800
1000
0.95
1.12
1.28
11.93
8.71
8.35
0.78
0.76
0.69
12
22
32
1.02
0.99
0.86
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
0.5 mA
1.10
1.20
1.45
8.73
6.83
6.67
0.85
0.80
0.75
13
25
36
1.69
1.65
1.64
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
1.0 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
3.0 mA
500
800
1000
2000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
0.3 mA
500
800
1000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
1 mA
500
800
1000
2000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
3 mA
500
800
1000
2000
V
CE =
3
V
,
I
C =
3 mA
500
800
1000
2000
3000
0.88
1.00
1.14
14.48
10.96
9.83
0.75
0.71
0.66
13
21
29
0.82
0.76
0.62
0.90
1.02
1.18
12.92
10.03
9.23
0.77
0.73
0.67
11
21
30
0.92
0.84
0.69
0.98
1.07
1.15
1.52
17.29
13.62
12.01
6.41
0.60
0.57
0.54
0.43
10
18
25
27
0.52
0.50
0.47
0.38
1.10
1.30
1.47
10.77
7.48
6.76
0.85
0.81
0.78
14
22
30
1.49
1.45
1.37
0.85
1.04
1.16
1.60
15.44
11.52
10.45
5.16
0.73
0.72
0.69
0.54
12
19
27
33
0.91
0.75
0.68
0.47
1.08
1.15
1.22
1.68
18.11
14.37
12.76
7.19
0.65
0.60
0.58
0.48
11
17
23
20
0.60
0.53
0.49
0.41
1.10
1.19
1.25
1.48
1.74
18.10
14.27
12.77
7.20
5.22
0.65
0.61
0.60
0.50
0.32
10
14
23
20
28
0.58
0.50
0.49
0.42
0.22
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PDF描述
NE68533-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68530-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68533 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68533-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68533-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68533-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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