參數(shù)資料
型號： NE68519-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 6/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE68519-T1
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NE68519
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
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0.4
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5.0
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11.752
10.100
8.988
6.892
5.176
3.217
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 3.0 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
NE685 SERIES
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
See note on previous page.
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
S
11
3
2
1
S
22
0.1 GHz
0.1 GHz
S
22
4 GHz
S
11
4 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
.025
.020
.015
.010
S
21
0.1 GHz
3
2
1
.05
S
12
0.1 GHz
S
21
4 GHz
S
12
4 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68530-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68533-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68539R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M03 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68519-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68530 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE68530-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68530-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68530-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68530-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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