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參數(shù)資料
| 型號： | NE678M04-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 中功率NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NE678M04-T2 |
NE678M04
FREQUENCY
GHz
0.100
0.200
0.300
0.400
0.500
0.600
0.700
0.800
0.900
1.000
1.500
1.800
1.900
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
5.500
6.000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
33.48
30.30
28.27
26.78
25.46
24.40
23.43
22.51
21.72
20.95
16.35
14.70
14.25
13.81
12.03
10.71
9.71
9.03
8.78
8.46
7.72
7.05
MAG
0.52
0.55
0.56
0.56
0.56
0.56
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.57
0.58
0.60
0.62
0.64
0.65
0.67
ANG
-74.30
-114.70
-136.33
-149.34
-158.35
-167.02
-172.39
-176.68
179.14
176.07
161.30
153.82
151.23
148.83
136.19
123.25
109.78
96.93
85.43
75.45
66.54
57.90
MAG
39.85
28.29
20.98
16.42
13.45
11.22
9.70
8.57
7.66
6.93
4.70
3.96
3.76
3.58
2.90
2.44
2.10
1.84
1.63
1.46
1.32
1.19
ANG
141.89
120.64
108.33
100.26
94.25
90.08
85.86
82.27
78.87
75.71
61.65
53.96
51.43
48.96
36.74
24.91
13.41
2.30
-8.43
-18.79
-28.80
-38.45
MAG
0.02
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.05
0.05
0.06
0.08
0.09
0.09
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.19
0.21
0.22
0.24
ANG
63.14
50.10
45.90
45.26
45.86
47.13
48.18
49.01
49.82
50.22
49.69
48.26
47.59
46.86
42.26
36.84
30.78
24.27
17.67
11.05
4.47
-2.21
MAG
0.79
0.58
0.46
0.40
0.36
0.30
0.28
0.27
0.27
0.26
0.27
0.27
0.28
0.28
0.31
0.34
0.37
0.40
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0.47
0.50
0.53
ANG
-43.24
-69.59
-86.51
-97.94
-106.44
-115.48
-121.83
-125.22
-128.89
-131.89
-142.80
-147.21
-148.33
-149.67
-154.80
-159.87
-164.45
-170.06
-176.72
175.39
166.91
158.44
0.22
0.37
0.49
0.61
0.69
0.83
0.88
0.92
0.96
0.98
1.07
1.09
1.09
1.09
1.09
1.08
1.06
1.04
1.01
0.98
0.95
0.93
NE678M04
V
C
= 3 V, I
C
= 30 mA
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K –
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≥
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
j50
j100
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
10
50 100
S22
25
S11
+90
o
+45
o
+0
o
10 20 30
-45
o
-90
o
-135
o
+180
o
+135
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68000 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE680 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68018-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE678M04-T2-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE-68 | 制造商:CML Innovative Technologies 功能描述: 制造商:Visual Communications Company (VCC) 功能描述:NE-68 /Refer New Part # 5AC |
| NE680 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68018 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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