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參數(shù)資料
| 型號： | NE58219 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅外延晶體管3引腳超超級迷你模具 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | NE58219 |
NEC's NPN SILICON EPITAXIAL
TRANSISTOR 3 PINS ULTRA
SUPER MINI MOLD
NE58219
FEATURES
HIGH f
T
:
5 GHz TYP at V
CE
= 5 V , I
C
= 5 mA, f = 1 GHz
LOW C
re
:
0.9 pF TYP at V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
ULTRA SUPER MINI MOLD PACKAGE:
1.6 x 0.8 mm
NEC's NE58219 is a low supply voltage transistor designed for
UHF Mixer and oscillator applications. The 3 pin ultra super
mini mold package makes this device ideally suited for high
density surface mount assembly.
DESCRIPTION
PART NUMBER
EIAJ
1
REGISTERED NUMBER
PACKAGE OUTLINE
NE58219
2SC5004
19
SYMBOLS
PARAMETERS AND CONDITIONS
UNITS
MIN
TYP
MAX
I
CBO
I
EBO
V
CE
(sat)
h
FE
f
T
C
RE
|S
21E
|
2
Collector Cutoff Current at V
CB
= 15 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current at V
EB
= 1 V, I
C
= 0
Collector Saturation Voltage at h
FE
= 10, I
C
= 5 mA
DC Current Gain at V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
2
Gain Bandwidth at V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA
Feedback Capacitance at V
CB
= 5 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
3
Insertion Power Gain at V
CE
= 5 V, I
C
= 5 mA, f = 1 GHz
μ
A
μ
A
V
0.1
0.1
0.5
120
60
3.0
GHz
pF
dB
5.0
0.9
1.2
5.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Notes:
1. Electronic Industrial Association of Japan
2. Pulsed measurement, pulse width
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %.
3. The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance bridge.
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE 19
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
3
1
2
1.6±0.1
0.8±0.1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
+
–
0
+
–
+
–
California Eastern Laboratories
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE58219-T1 | NECs NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD |
| NE592D8R2 | Video Amplifier |
| NE592D8R2G | Video Amplifier |
| NE592N14G | Video Amplifier |
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參數(shù)描述 |
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