參數(shù)資料
型號： NE461M02-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE461M02-T1
NE461M02
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
11
0.1 GHz
S
11
3 GHz
S
22
0.1 GHz
S
22
3 GHz
120
90
S
21
0.1 GHz
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
21
3 GHz
S
12
3 GHz
S
12
0.1 GHz
FREQUENCY
GHz
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
29.2
25.0
19.9
15.4
12.9
11.0
9.5
8.4
7.5
6.7
6.1
5.5
5.1
4.7
4.4
4.2
MAG
0.596
0.601
0.601
0.600
0.597
0.593
0.588
0.581
0.574
0.565
0.556
0.547
0.535
0.524
0.515
0.505
ANG
-144.8
-166.5
177.5
168.1
160.4
153.6
147.2
141.2
135.3
129.6
124.1
118.7
113.0
107.5
101.8
96.1
MAG
23.959
12.575
6.386
4.296
3.258
2.640
2.236
1.953
1.747
1.590
1.468
1.371
1.292
1.225
1.170
1.122
ANG
106.7
93.9
82.7
75.0
68.3
62.1
56.3
50.8
45.6
40.6
35.8
31.1
26.6
22.3
18.1
14.1
MAG
0.029
0.040
0.066
0.093
0.120
0.147
0.174
0.201
0.227
0.252
0.277
0.302
0.325
0.348
0.371
0.393
ANG
48.5
55.6
63.6
65.3
64.7
63.1
60.9
58.5
55.9
53.1
50.3
47.4
44.3
41.3
38.2
35.1
MAG
0.422
0.334
0.308
0.306
0.309
0.313
0.318
0.324
0.330
0.335
0.341
0.346
0.351
0.355
0.359
0.363
ANG
-108.4
-135.7
-152.0
-156.5
-157.7
-157.8
-157.4
-156.6
-155.7
-154.9
-154.2
-153.5
-153.0
-152.8
-152.8
-153.0
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE461M02
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
0.56
0.82
0.99
1.04
1.06
1.06
1.06
1.06
1.05
1.05
1.04
1.03
1.02
1.02
1.01
1.00
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
FREQUENCY
GHz
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
29.3
25.0
19.9
15.4
12.8
11.0
9.5
8.3
7.4
6.6
6.0
5.5
5.0
4.6
4.4
4.1
MAG
0.596
0.598
0.597
0.595
0.592
0.588
0.583
0.576
0.568
0.560
0.550
0.540
0.530
0.520
0.510
0.502
ANG
-143.1
-165.5
178.0
168.4
160.6
153.7
147.3
141.3
135.5
129.9
124.4
119.0
113.5
107.9
102.3
96.7
MAG
24.061
12.640
6.417
4.313
3.268
2.647
2.241
1.957
1.750
1.593
1.471
1.373
1.294
1.228
1.172
1.123
ANG
106.9
94.0
82.7
74.9
68.2
62.0
56.2
50.7
45.5
40.5
35.6
31.0
26.4
22.1
17.9
13.8
MAG
0.029
0.040
0.065
0.093
0.120
0.147
0.173
0.199
0.225
0.250
0.275
0.300
0.323
0.346
0.369
0.391
ANG
48.3
55.1
63.0
64.8
64.3
62.8
60.7
58.3
55.8
53.1
50.2
47.4
44.3
41.3
38.2
35.0
MAG
0.416
0.328
0.301
0.299
0.302
0.306
0.312
0.318
0.324
0.330
0.336
0.342
0.347
0.353
0.357
0.362
ANG
-107.7
-135.1
-151.6
-156.2
-157.4
-157.4
-156.9
-156.1
-155.2
-154.3
-153.5
-152.8
-152.3
-152.0
-151.9
-152.2
V
CE
= 12 V, I
C
= 100 mA
0.56
0.82
0.99
1.04
1.06
1.07
1.07
1.07
1.06
1.05
1.04
1.03
1.03
1.02
1.01
1.01
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 12 V, I
C
= 100 mA
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -12/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
NE5230 Low Voltage Operational Amplifier(低壓運(yùn)算放大器)
NE536 FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
NE5510279A 3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE461M02-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46234-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-SE-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-T1-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-T1-SE-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*