型號(hào): | NE32100 |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁(yè)數(shù): | 5/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 525K |
代理商: | NE32100 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE32183A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NE32184A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NE32700 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NE32702 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE321000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
NE321000- | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP |
NE321000_01 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET |
NE3210S01 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
NE3210S01-A | 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |