參數(shù)資料
型號： NDS8410
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（10A，30V，0.015Ω）(單N溝道增強型MOS場效應管（漏電流10A, 漏源電壓30V，導通電阻0.015Ω）)
中文描述： 10000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： NDS8410
NDS8410 Rev B2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
6.0
4.0
3.5
V =10V
GS
3.0
2.5
5.0 4.5
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
3.5
6.0
10
4.5
5.0
4.0
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10V
I = 10A
R
D
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
ID
D
TJ
25°C
V = 10 V
-55°C
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NDS8425 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
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