參數(shù)資料
型號(hào)： NDP408B
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 11 A, 80 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： NDP408B
NDP408.SAM
0
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
4
6
8
0
5
10
15
20
25
30
I
D
10
8.0
7.0
6.0
5.0
V = 20V
GS
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.5
1
1.5
2
2.5
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10V
I = 6A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
7.0
20
10
12
8.0
V = 6V
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
D
J
25°C
-55°C
V = 10V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP408BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.16Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.16Ω）)
NDP408A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.16Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.16Ω）)
NDB408B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.9Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.9Ω）)
NDB408BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.9Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.9Ω）)
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參數(shù)描述
NDP408BE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410AL 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP410B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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