參數(shù)資料
型號(hào)： NDP408AE
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 12 A, 80 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： NDP408AE
NDP408.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
U
B
D
I = 250μA
0.4
0.6
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.8
1
1.2
1.4
0.01
0.1
0.5
1
2
5
10
30
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 12A
V = 12V
24
64
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
50
100
200
500
1000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP408B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP408BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB408AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.16Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.16Ω）)
NDP408A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.16Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.16Ω）)
NDB408B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（12A,80V，0.9Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流12A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.9Ω）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP408B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP408BE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP410AL 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*