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參數(shù)資料
| 型號： | NDL5590P1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 1 000 to 1 600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 mm InGaAs PIN PHOTO DIODE MODULE |
| 中文描述： | 1 000至1 600 nm的光纖通信50毫米的銦鎵砷PIN光電二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NDL5590P1 |
3
NDL5421P Series
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25
°
C, unless otherwise specified)
WAVELENGTH DEPENDENCE
OF QUANTUM EFFICIENCY
100
80
60
40
20
0
0.9
1.0
1.1
1.3
1.2
1.4
1.5
1.6
1.7
Wavelength
λ
( m)
Q
η
REVERSE VOLTAGE DEPENDENCE
OF DARK CURRENT
10
1.0
0.1
0.01
0.001
D
D
0
10
20
Reverse Voltage V
R
(V)
50 C
25 C
–25 C
0 C
T
C
= 75 C
10
0
–10
–60
–40
–20
Case Temperature T
C
(C)
0
20
λ
= 1 300 nm
40
60
80
100
TEMPERATURE DEPENDENCE
OF RESPONSIVITY
R
10
1
10
0
10
–1
10
–2
10
–3
–60
–40
–20
Case Temperature T
C
(C)
0
20
40
60
80
100
D
D
TEMPERATURE DEPENDENCE
OF DARK CURRENT
V
R
= 5 V
REVERSE VOLTAGE DEPENDENCE
OF TERMINAL CAPACITANCE
f = 1.0 MHz
2
1
0.5
0.3
T
t
1
3
10
0.1
0.3
Reverse Voltage V
R
(V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDL5421P | 1 000 to 1 600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 50 mm InGaAs PIN PHOTO DIODE MODULE |
| NDL7103 | InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION |
| NDL7562P | InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION |
| NDL7565P1 | InGaAsP STRAINED MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1310nm OTDR APPLICATION |
| NDL7565P1C | InGaAsP MQW DC-PBH PULSED LASER DIODE MODULE 1 550 nm OTDR APPLICATION |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDL5590P1C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| NDL5590P1D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| NDL5590P2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:1 000 to 1 600 nm OPTICAL FIBER COMMUNICATIONS 30 mm InGaAs AVALANCHE PHOTO DIODE MODULE |
| NDL5590P2C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
| NDL5590P2D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AMPLIFIER OUTPUT PHOTO IC |
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