參數(shù)資料
型號(hào): NDD04N50Z-1G
廠商: ON Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 2/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET IPAK-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 歐姆 @ 1.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 308pF @ 25V
功率 - 最大: 61W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I-Pak
包裝: 管件
其它名稱: NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS