| 型號(hào)： | NDD02N60Z-1G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | MOSFET IPAK-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 歐姆 @ 1A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 274pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 57W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | I-Pak |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | NDD02N60Z-1G-ND NDD02N60Z-1GOS |