參數(shù)資料
型號(hào)： NDB7050
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 75 A, 50 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 378K
代理商： NDB7050
TO-263AB/D
2
PAK (FS PKG Code 45)
TO-263AB/D
2
PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
August 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP7050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（75A，50V，0.013Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流75A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.013Ω）)
NDB7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NDP7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管)
NDB710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP710A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB7050L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB7051 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB7051L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7052 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7052L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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