參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6050
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： NDB6050
NDP6050 Rev. A1 / NDB6050 Rev. B
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 20V
6.0
5.0
7.0
8.0
10
12
9.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10V
I = 24A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
0
20
40
60
80
100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 6.0V
9.0
10
7.0
8.0
20
12
0
20
40
60
80
100
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
R
D
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
J
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP6050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDP608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB6050L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6051L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB
NDB6060 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB6060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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