參數(shù)資料
型號： NCP1606BDR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 5/22頁
文件大?。?/td> 245K
描述： IC POWER FACTOR CONTROLLER 8SOIC
標準包裝： 1
模式： 臨界傳導（CRM）
電流 - 啟動： 20µA
電源電壓： 10.3 V ~ 20 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 標準包裝
其它名稱： NCP1606BDR2GOSDKR
NCP1606
http://onsemi.com
5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Unless otherwise specified: For typical values, T
J
 = 25癈. For min/max values, T
J
 = 40癈 to +125癈, V
CC
 = 12 V, FB = 2.4 V, C
DRV
 =
1 nF, Ct = 1 nF, CS = 0 V, Control = open, ZCD = open)
Symbol
Unit
Max
Typ
Min
Rating
V
CL(NEG)
Negative Active Clamp Voltage @ I
ZCD
 = 2.5 mA
0.45
0.6
0.75
V
I
CL(NEG)
Current Capability of the Negative Active Clamp:
in normal mode (V
ZCD
 = 300 mV)
in shutdown mode (V
ZCD
 = 100 mV)
2.5
35
3.7
70
5.0
100
mA
mA
V
SD
L
Shutdown Threshold (V
ZCD
 falling)
150
200
250
mV
V
SD
H
Enable Threshold (V
ZCD
 rising)

290
350
mV
V
SD
HYS
Shutdown Comparator Hysteresis

90

mV
t
ZCD
Zero current detection propagation delay

100
170
ns
t
SYNC
Minimum detectable ZCD pulse width

70

ns
t
START
Drive off restart timer
75
180
300
ms
RAMP CONTROL
I
CHARGE
Charge Current (V
CT
 = 0 V)
25癈 < T
J
 < +125癈
40癈 < T
J
 < +125癈
243
235
270
270
297
297
mA
t
CT(discharge)
Time to discharge a 1 nF Ct capacitor from V
CT
 = 3.4 V to 100 mV.


100
ns
V
CTMAX
Maximum Ct level before DRV switches off
25癈 < T
J
 < +125癈
40癈 < T
J
 < +125癈
2.9
2.9
3.2
3.2
3.3
3.4
V
t
PWM
Propagation delay of the PWM comparator

150
220
ns
OVER AND UNDERVOLTAGE PROTECTION
I
OVP
Dynamic overvoltage protection (OVP) triggering current:
NCP1606A
NCP1606B @ T
J
 = 25癈
NCP1606B @ T
J
 = 40癈 to +125癈
34
9.0
8.7
40
10.4

45
11.8
12.1
mA
I
OVP(HYS)
Hysteresis of the dynamic OVP current before the OVP latch is released:
NCP1606A
NCP1606B


30
8.5


mA
V
OVP
Static OVP Threshold Voltage
V
EAL
 +
100 mV
V
V
UVP
Undervoltage protection (UVP) threshold voltage
0.25
0.3
0.4
V
GATE DRIVE SECTION
R
OH
R
OL
Gate Drive Resistance:
R
OH
 @ I
SOURCE
 = 100 mA
R
OH
 @ I
SOURCE
 = 20 mA
R
OL
 @ I
SINK
 = 100 mA
R
OL
 @ I
SINK
 = 20 mA




12
12
6
6
18
18
10
10
W
t
rise
Drive voltage rise time from 10% V
CC
 to 90% V
CC
 with C
DRV
 = 1 nF and V
CC
 = 12 V.

30
80
ns
t
fall
Drive voltage fall time from 90% V
CC
 to 10% V
CC
 with C
DRV
 = 1 nF and V
CC
 = 12 V.

25
70
ns
V
OUT(start)
Driver output voltage at V
CC
 = V
CC(on)
  200 mV and I
sink
 = 10 mA


0.2
V
3.  Parameter values are valid for transient conditions only.
4.  Parameter characterized and guaranteed by design, but not tested in production.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NCP1607BDR2G IC PFC CONTROLLER CRM 8SOIC
NCP1611BDR2G IC PFC CTLR HE ENHANCED 8-SOIC
NCP1651DR2G IC PFC CONTROLLER CCM/DCM 16SOIC
NCP1654BD133R2G IC PFC CCM 133KHZ 8-SOIC
NCP1927DR2G IC CTLR PFC/FLYBACK 16-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NCP1606BOOSTGEVB 功能描述:電源管理IC開發(fā)工具 OSPI NCP1606 100 W BOOST RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 產(chǎn)品:Evaluation Kits 類型:Battery Management 工具用于評估:MAX17710GB 輸入電壓: 輸出電壓:1.8 V
NCP1606BPG 功能描述:功率因數(shù)校正 IC LO CST PWR FCTR CONT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
NCP1607BDR2G 功能描述:功率因數(shù)校正 IC CST EFCT PW FCTR CTR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
NCP1607BOOSTGEVB 功能描述:BOARD EVAL NCP1607 100W BOOST RoHS:是 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 評估演示板和套件 系列:* 標準包裝:1 系列:PCI Express® (PCIe) 主要目的:接口，收發(fā)器，PCI Express 嵌入式:- 已用 IC / 零件:DS80PCI800 主要屬性:- 次要屬性:- 已供物品:板
NCP1608BDR2G 功能描述:功率因數(shù)校正 IC COST EFFECT PWR FACT CONT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*