參數(shù)資料
型號： NBB-312-T1
廠商： RF MICRO DEVICES INC
元件分類： 衰減器
英文描述： CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
中文描述： 0 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, MPGA-9
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： NBB-312-T1
4-28
NBB-312
Rev A3 030912
Typical Bias Configuration
Application notes related to biasing circuit, device footprint, and thermal considerations are available on request.
Application Notes
Bonding Temperature (Wedge or Ball)
It is recommended that the heater block temperature be set to 160°C±10°C.
Recommended Bias Resistor Values
Supply Voltage, V
CC
(V)
Bias Resistor, R
CC
(
)
8
10
100
12
140
15
200
20
300
60
C block
4
8
1,2,3
5,6,7,9
C block
In
Out
L choke
(optional)
R
CC
V
CC
V
D
= 5 V
V
DEVICE
相關PDF資料
PDF描述
NBB-400 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-D CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-E CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-T1 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-500 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 4GHz
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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