參數(shù)資料
型號： NBB-312-E
廠商： RF Micro Devices, Inc.
英文描述： CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
中文描述： 級聯(lián)寬帶GaAs MMIC放大器直流到12GHz
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： NBB-312-E
4-28
NBB-312
Rev A3 030912
Typical Bias Configuration
Application notes related to biasing circuit, device footprint, and thermal considerations are available on request.
Application Notes
Bonding Temperature (Wedge or Ball)
It is recommended that the heater block temperature be set to 160°C±10°C.
Recommended Bias Resistor Values
Supply Voltage, V
CC
(V)
Bias Resistor, R
CC
(
)
8
10
100
12
140
15
200
20
300
60
C block
4
8
1,2,3
5,6,7,9
C block
In
Out
L choke
(optional)
R
CC
V
CC
V
D
= 5 V
V
DEVICE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NBB-312-T1 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 12GHz
NBB-400 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-D CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-E CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
NBB-400-T1 CASCADABLE BROADBAND GaAs MMIC AMPLIFIER DC TO 8GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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