參數(shù)資料
型號： NAND512R4A0CZA1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 46/57頁
文件大小： 410K
代理商： NAND512R4A0CZA1
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/57
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures
35
,
34
and
36
show the electrical charac-
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor R
P
can be calculated using
the following equation:
So,
where I
L
is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is
determined by the maximum value of t
r
.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
Figure 36. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
-VDDmax
VOLmax
IL
–
+
(
)
IOL
=
RPmin 1.8V
)
3mA
IL
+
-----1.85V
=
RPmin 3V
)
8mA
IL
+
------3.2V
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
Open Drain Output
DEVICE
ibusy
ai07565B
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
t
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
1.7
1.7
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
1
2
3
i
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t
i
60
90
0.57
120
0.43
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512R4A0CZA1T 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0CZB1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W4M5CZC5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND512R4M2CZB5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND512W3M5BZB5F 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R4A2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R4A2CZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*