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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R3A2C |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 30/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | NAND512R3A2C |
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DC and AC parameters
NAND512-A2C
36/51
Table 19.
DC Characteristics, 3V devices(1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Stand-by Current (TTL),
E=VIH, WP=0V/VDD
-
1
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
E=VDD-0.2, WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = 400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.7
V
1.
Leakage currents double on stacked devices.
Table 20.
AC characteristics for Command, Address, Data Input
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
devices
3V
devices
Unit
tALLWH
tALS
Address Latch Low to Write Enable High
AL Setup time
Min
25
15
ns
tALHWH
Address Latch High to Write Enable High
tCLHWH
tCLS
Command Latch High to Write Enable High
CL Setup time
Min
25
15
ns
tCLLWH
Command Latch Low to Write Enable High
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
15
ns
tELWH
tCS
Chip Enable Low to Write Enable High
E Setup time
Min
30
20
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
5
ns
tWHALL
Write Enable High to Address Latch Low
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch High
CL hold time
Min
10
5
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
5
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
5
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
15
10
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
25
15
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time Min
45
30
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
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| NAND512R3A2DZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| NAND512R3A2SE06 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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