參數(shù)資料
型號(hào)： NAND08GR4B3AZB6
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
文件頁數(shù)： 47/59頁
文件大?。?/td> 1154K
代理商： NAND08GR4B3AZB6
51/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures 36, 35 and 37 show the electrical charac-
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor RP can be calculated using
the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is
determined by the maximum value of tr.
Figure 35. Ready/Busy AC Waveform
Figure 36. Ready/Busy Load Circuit
Figure 37. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
------------------------------------------------------------
=
RPmin 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
RPmin 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND256W4A2AZA6E 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
NCP303LSN41T1 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5
NCS6416DWG 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20
NCS6S4803L5C 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
NCT050C-20.0000 CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 20 MHz, TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND08GW3B2AN6E 功能描述:閃存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2AN6F 功能描述:閃存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays
NAND08GW3B2CN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND08GW3B2CN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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