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NCP5106BDR2G

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NCP5106BDR2G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 產(chǎn)品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類(lèi)型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時(shí)間
  • 下降時(shí)間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
NCP5106BDR2G 技術(shù)參數(shù)
  • NCP5106APG 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5106ADR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5104PG 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5104DR2G 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP508SQ33T1G 功能描述:低壓差穩(wěn)壓器 - LDO LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動(dòng)電壓(最大值):307 mV 輸出電流:1 A 負(fù)載調(diào)節(jié):0.3 % 輸出端數(shù)量: 輸出類(lèi)型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20 NCP51145PDR2G NCP51190MNTAG NCP51198PDR2G NCP51199PDR2G NCP511SN15T1 NCP511SN15T1G NCP511SN18T1 NCP511SN18T1G NCP511SN25T1 NCP511SN25T1G NCP511SN27T1 NCP511SN27T1G NCP511SN28T1 NCP511SN28T1G NCP511SN30T1 NCP511SN30T1G NCP511SN33T1 NCP511SN33T1G
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