功率驅(qū)動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
RoHS
否
制造商
Micrel
產(chǎn)品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時間
下降時間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube
NCP5106BDR2G 技術(shù)參數(shù)
NCP5106APG功能描述:功率驅(qū)動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:TubeNCP5106ADR2G功能描述:功率驅(qū)動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:TubeNCP5104PG功能描述:功率驅(qū)動器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:TubeNCP5104DR2G功能描述:功率驅(qū)動器IC NCP5104 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:TubeNCP508SQ33T1G功能描述:低壓差穩(wěn)壓器 - LDO LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動電壓(最大值):307 mV 輸出電流:1 A 負載調(diào)節(jié):0.3 % 輸出端數(shù)量: 輸出類型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20NCP51145PDR2GNCP51190MNTAGNCP51198PDR2GNCP51199PDR2GNCP511SN15T1NCP511SN15T1GNCP511SN18T1NCP511SN18T1GNCP511SN25T1NCP511SN25T1GNCP511SN27T1NCP511SN27T1GNCP511SN28T1NCP511SN28T1GNCP511SN30T1NCP511SN30T1GNCP511SN33T1NCP511SN33T1G