NP100P06PLG-E1-AY

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

NP100P06PLG-E1-AY
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
206
Renesas
19
-
瑞智芯只有原裝

NP100P06PLG-E1-AY
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Renesas
MP-25ZPTO-263
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

NP100P06PLG-E1-AY
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
206
Renesas
N/A
20+
-

NP100P06PLG-E1-AY
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
NEC
TO263
13+pbf
-
全新原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

NP100P06PLG-E1-AY 技術(shù)參數(shù)

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP1100SBMCT3G NP1100SBT3G NP1100SCMCT3G NP1100SCT3G NP110N03PUG-E1-AY NP110N04PDG-E1-AY NP110N04PUG-E1-AY NP110N04PUJ-E1B-AY NP110N04PUK-E1-AY NP110N055PUG-E1-AY NP110N055PUG-E2-AY NP110N055PUJ-E2B-AY NP110N055PUK-E1-AY NP1111510000G NP1211510000G NP1300SAMCT3G NP1300SAT3G NP1300SBMCT3G