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NP109N04PUJ-E1B-AY

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NP109N04PUJ-E1B-AY
    NP109N04PUJ-E1B-AY

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • RENESAS/瑞薩

  • MP-25ZPTO-263

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • NP109N04PUJ-E1B-AY
    NP109N04PUJ-E1B-AY

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Renesas

  • MP-25ZPTO-263

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

  • NP109N04PUJ-E1B-AY
    NP109N04PUJ-E1B-AY

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2000

  • R

  • TO-263

  • 13+

  • -

  • 不止網(wǎng)址數(shù)量.以電話為準(zhǔn)

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
NP109N04PUJ-E1B-AY PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
NP109N04PUJ-E1B-AY 技術(shù)參數(shù)
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP1100SCT3G NP110N03PUG-E1-AY NP110N04PDG-E1-AY NP110N04PUG-E1-AY NP110N04PUJ-E1B-AY NP110N04PUK-E1-AY NP110N055PUG-E1-AY NP110N055PUG-E2-AY NP110N055PUJ-E2B-AY NP110N055PUK-E1-AY NP1111510000G NP1211510000G NP1300SAMCT3G NP1300SAT3G NP1300SBMCT3G NP1300SBT3G NP1300SCMCT3G NP1300SCT3G
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