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NLV25T-R12J-EF

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • NLV25T-R12J-EF
    NLV25T-R12J-EF

    NLV25T-R12J-EF

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • NLV25T-R12J-EF
    NLV25T-R12J-EF

    NLV25T-R12J-EF

  • 汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
    汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0754-84492320

    地址:廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁

  • 976000

  • TDK

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 進(jìn)口全新原裝正品

  • NLV25T-R12J-EF
    NLV25T-R12J-EF

    NLV25T-R12J-EF

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • NLV25T-R12J-EF
    NLV25T-R12J-EF

    NLV25T-R12J-EF

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規(guī)13%專

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 292600

  • TDK

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -
  • 一級質(zhì)量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價(jià)美

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • Ind RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 25.2MHz 30Q-Factor 550mA 1008 Blister T/R Cut Tape
NLV25T-R12J-EF 技術(shù)參數(shù)
  • NLV25T-R10J-PF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.075"(1.90mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R10J-EFD 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.075"(1.90mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R10J-EF 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 800 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:280mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):800 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:800MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.075"(1.90mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-8R2J-PF 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:36MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.075"(1.90mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-8R2J-EFD 功能描述:8.2μH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 3.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±5% 額定電流:160mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:36MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.075"(1.90mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R18J-PF NLV25T-R18J-PFD NLV25T-R22J-EF NLV25T-R22J-EFD NLV25T-R22J-PF NLV25T-R22J-PFD NLV25T-R27J-EF NLV25T-R27J-EFD NLV25T-R27J-PF NLV25T-R27J-PFD NLV25T-R33J-EF NLV25T-R33J-EFD NLV25T-R33J-PF NLV25T-R33J-PFD NLV25T-R39J-EF NLV25T-R39J-EFD NLV25T-R39J-PF NLV25T-R39J-PFD
配單專家

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