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NLV27WZ04DFT1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • NLV27WZ04DFT1G
    NLV27WZ04DFT1G

    NLV27WZ04DFT1G

  • 深圳市訊順達(dá)科技有限公司
    深圳市訊順達(dá)科技有限公司

    聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話：0755-827272340755-23915567

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座15KL

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4200

  • ON Semiconductor

  • SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 23+

  • -

  • 全新原裝歡迎詢價(jià)下單

  • NLV27WZ04DFT1G
    NLV27WZ04DFT1G

    NLV27WZ04DFT1G

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：王小康

    電話：181886423070755-21006672

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • ON Semiconductor

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

  • NLV27WZ04DFT1G
    NLV27WZ04DFT1G

    NLV27WZ04DFT1G

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • NLV27WZ04DFT1G
    NLV27WZ04DFT1G

    NLV27WZ04DFT1G

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 5000

  • ON

  • SOP

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨，QQ:1585971070

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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NLV27WZ04DFT1G 技術(shù)參數(shù)
  • NLV25T-R82J-PF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R82J-EFD 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R68J-PF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:300MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV25T-R68J-EFD 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:300MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV27WZ32USG NLV27WZ86USG NLV27WZU04DFT2G NLV32T-010J-EF NLV32T-010J-EFD NLV32T-010J-PF NLV32T-010J-PFD NLV32T-012J-EF NLV32T-012J-EFD NLV32T-012J-PF NLV32T-012J-PFD NLV32T-015J-EF NLV32T-015J-EFD NLV32T-015J-PF NLV32T-015J-PFD NLV32T-018J-EF NLV32T-018J-EFD NLV32T-018J-PF
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