V<" />
型號(hào): | MXD1210EWE+ |
廠商: | Maxim Integrated |
文件頁(yè)數(shù): | 6/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 46 |
控制器類(lèi)型: | 非易失性 RAM |
電源電壓: | 4.75 V ~ 5.5 V |
工作溫度: | -40°C ~ 85°C |
封裝/外殼: | 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 16-SOIC W |
包裝: | 管件 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
T86D107K010EBAL | CAP TANT 100UF 10V 10% 2917 |
EN95L4 | BATTERY PK 6.0V D SIZE ALKALINE |
VE-B3J-EU-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W |
T86D686M010EBAL | CAP TANT 68UF 10V 20% 2917 |
T86D686K010EBAL | CAP TANT 68UF 10V 10% 2917 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MXD1210EWE+ | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 - 控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 控制器類(lèi)型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
MXD1210EWE+T | 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 - 控制器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 控制器類(lèi)型:靜態(tài) RAM(SRAM) 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
MXD1210EWE-T | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測(cè)電壓數(shù): 監(jiān)測(cè)電壓: 欠電壓閾值: 過(guò)電壓閾值: 輸出類(lèi)型:Active Low, Open Drain 人工復(fù)位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開(kāi)關(guān):No Backup 上電復(fù)位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
MXD1210MJA | 功能描述:監(jiān)控電路 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測(cè)電壓數(shù): 監(jiān)測(cè)電壓: 欠電壓閾值: 過(guò)電壓閾值: 輸出類(lèi)型:Active Low, Open Drain 人工復(fù)位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開(kāi)關(guān):No Backup 上電復(fù)位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel |
MXD1810 | 制造商:MAXIM 制造商全稱(chēng):Maxim Integrated Products 功能描述:Low-Power UP Reset Circuits in 3-Pin |