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參數(shù)資料
| 型號： | MX857BTR |
| 廠商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC LEVEL SHIFTER 1CH HS 8-SOIC |
| 標準包裝： | 1,000 |
| 邏輯功能： | 電平移位器 |
| 位數(shù)： | 1 |
| 輸入類型： | CMOS/TTL |
| 輸出類型： | 電壓 |
| 通道數(shù)： | 1 |
| 輸出/通道數(shù)目： | 2 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 無/是 |
| 傳輸延遲（最大）： | 20ns |
| 電源電壓： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
INTEGRATED CIRCUITS DIVISION
MX856/MX857
R01
www.ixysic.com
5
1.7 ESD Warning
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges can readily accumulate on test equipment and
the human body in excess of 4000 Volts. This energy can discharge without detection. Although the MX856 / MX857
feature proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may be sustained if subjected to high energy
electrostatic discharges. Proper ESD precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of
functionality.
1.8 AC Electrical Characteristics
VCC=VOPT=3.3V, VEE=-16.75V or -4.5V, input rise and fall times 6ns, VIN=3.1V, VIL=0.2V, TA=-40°C to +85°C
VCC=VOPT=5V, VEE=-15V or -4.5V, input rise and fall times 6ns, VIN=4.8V, VIL=0.2V, TA=-40°C to +85°C
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Propagation Delay (Low to High Input)
VCC=3.5V
TPLH
-22
29
ns
VCC=5.0V
-24
29
Propagation Delay (High to Low Input)
VCC=3.5V
TPHL
-20
29
VCC=5.0V
-20
29
Output Rise Time (CLD=10pF)
VCC=3.5V
TTLH
-5
9
VCC=5.0V
-4
9
Output Fall Time (CLD=10pF)
VCC=3.5V
TTHL
-5
8
VCC=5.0V
-4
8
Delay Skew (Output A to Output B)
VCC=3.5V
TSKEW
-5
10
VCC=5.0V
-5
10
Input Capacitance
-
CIN
-
15
pF
90%
10%
VCC-0.2V
90%
0.2V
6ns
50%
90%
50%
10%
50%
90%
10%
50%
90%
10%
50%
90%
Tskew
Tphl
Tskew
Tplh
Tlh
Thl
Tlh
IN
OUT
OUTB
V
OPT
V
EE
V
OPT
V
EE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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