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參數資料
| 型號： | MX29LV640TXCC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, PLASTIC, MO-216, CSP-64 |
| 文件頁數： | 27/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1188K |
| 代理商： | MX29LV640TXCC-90 |
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27
P/N:PM0920
REV. 1.2, NOV. 05, 2003
MX29LV640T/B
Table 4-4. CFI Mode: Primary Vendor-Specific Extended Query Data Values
Description
Address h
(x16)
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
4A
4B
4C
4Dh
Address h
(x8)
80
82
84
86
88
8A
8C
8E
90
92
94
96
98
9A
Data h
Query-unique ASCII string "PRI"
0050
0052
0049
0031
0031
0000
0002
0004
0001
0004
0000
0000
0000
00h
Major version number, ASCII
Minor version number, ASCII
Address sensitive unlock (0=required, 1= not required)
Erase suspend (2= to read and write)
Sector protect (N= # of sectors/group)
Temporary sector unprotect (1=supported)
Sector protect/unprotect scheme
Simultaneous R/W operation (0=not supported)
Burst mode type (0=not supported)
Page mode type (0=not supported)
ACC (Acceleration) Supply Minimum
00h=Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0:100mV
ACC (Acceleration) Supply Maximum
00h=Not Supported, D7-D4: Volt, D3-D0:100mV
Top/Bottom Boot Sector Flag
02h=Bottom Boot Device, 03h=Top Boot Device
4Eh
9C
00h
4Fh
9E
0002h/
0003h
Number of erase block regions
Erase block region 1 information
[2E,2D] = # of blocks in region -1
[30, 2F] = size in multiples of 256-bytes
2C
2D
2E
2F
30
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
58
5A
5C
5E
60
62
64
66
68
6A
6C
6E
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78
0002
0007
0000
0020
0000
007Eh
0000h
0000h
0001h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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