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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29LV160CTMC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.500 INCH, MO-175, SOP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 778K |
| 代理商： | MX29LV160CTMC-90 |
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26
P/N:PM1186
MX29LV160C T/B
REV. 1.2, JAN. 19, 2006
29LV160C-55R
29LV160C-70
29LV160C-90
SYMBOL PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX. UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
55
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
0
0
0
ns
(OE# High to WE# Low)
tCS
CE# Setup Time
0
0
0
ns
tCH
CE# Hold Time
0
0
0
ns
tWP
Write Pulse Width
35
35
35
ns
tWPH
Write Pulse Width High
30
30
30
ns
tWHWH1 Programming Operation (Note 2)
9/11(typ.)
9/11(typ.)
9/11(typ.)
us
(Byte/Word program time)
tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
50
50
50
us
tRB
Recovery Time from RY/BY#
0
0
0
ns
tBUSY
Sector Erase Valid to RY/BY# Delay
90
90
90
ns
Chip Erase Valid to RY/BY# Delay
90
90
90
ns
Program Valid to RY/BY# Delay
90
90
90
ns
tWPP1
Write pulse width for sector
100ns
10us
100ns
10us
100ns
10us
protect (A9, OE# Control)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
tWPP2
Write pulse width for sector
100ns
12ms
100ns
12ms
100ns
12ms
unprotect (A9, OE# Control)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
tVLHT
Voltage transition time
4
4
4
us
tOESP
OE# setup time to WE# active
4
4
4
us
NOTES:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
Table 11. Erase/Program Operations
AC CHARACTERISTICSTA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
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