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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29F400TTC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/44頁(yè) |
| 文件大小： | 710K |
| 代理商： | MX29F400TTC-90 |
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18
P/N:PM0439
MX29F400T/B
REV. 1.6, NOV. 12, 2001
AC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, -40
o
C to 125
o
C, VCC = 5V
±
10%
29F400T/B-55
(Note2)
29F400T/B-70
MIN.
MAX.
55
55
15
0
20
0
SYMBOL
tACC
tCE
tOE
tDF
tOH
PARAMETER
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
OE High to Output Float (Note1)
Address to Output hold
MIN.
MAX.
70
70
40
30
UNIT Conditions
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
NOTE:
1. tDF is defined as the time at which the output achieves
the open circuit condition and data is no longer driven.
2.VCC=5V
±
10%,CL=50pF,VIH/VIL=3.0V/0V,
VOH/VOL=1.5V/1.5V, IOL=2mA,IOH=-2mA.
3. Automotive grade is only provided for MX29F400T/B-
90 & MX29F400T/B-12
TEST CONDITIONS:
Input pulse levels: 0.45V/2.4V
Input rise and fall times is equal to or less than 10ns
Output load: 1 TTL gate + 100pF (Including scope and
jig)
Reference levels for measuring timing: 0.8V, 2.0V
29F400T/B-90 (Note3) 29F400T/B-12(Note3)
MIN.
MAX.
90
90
40
30
0
SYMBOL
tACC
tCE
tOE
tDF
tOH
PARAMETER
Address to Output Delay
CE to Output Delay
OE to Output Delay
OE High to Output Float (Note1) 0
Address to Output hold
MIN.
MAX.
120
120
50
30
UNIT Conditions
ns
CE=OE=VIL
ns
OE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=VIL
ns
CE=OE=VIL
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MX29F800TMC-70 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800TMC-90 | 8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MX29F800BMC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F800BTA-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:8M-BIT [1Mx8/512Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
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