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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F200TTI-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 30/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 720K |
| 代理商： | MX29F200TTI-12 |
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30
P/N:PM0549
REV. 1.3 , DEC. 24, 2001
MX29F200T/B
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM (WORD MODE)
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
Sector data indicated by A12 to A16 are erased. External
erase verification is not required because data are
erased automatically by internal control circuit. Erasure
completion can be verified by DATA polling and toggle
bit checking after automatic erase starts. Device outputs
0 during erasure and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for
toggle bit; see toggle bit, DATA polling, timing waveform)
tAH
Sector
Address0
555H
2AAH
2AAH
555H
555H
Sector
Address1
Sector
Addressn
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,
Q4(Note 1)
WE
A12~A16
Q7
A0~A10
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command #30H
Command #30H
Command #30H
Command #55H
Command #AAH
Command #80H
Command #55H
Command #AAH
(Q0~Q7)
Command
In
Command
In
tDH
tDS
tCEP
tCWC
tAETB
tBAL
DATA polling
tCEPH1
tAS
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit, Q2: Toggle bit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MX29F200BMC-55 | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F200BMC-70 | 2M-BIT [256Kx8/128Kx16] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MX29F4000PC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| MX29F4000PC-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
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