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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F004TTC-55 |
| 元件分類： | EEPROM |
| 英文描述： | EEPROM |
| 中文描述： | EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 42/43頁 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | MX29F004TTC-55 |
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42
REV. 2.3, JUL. 09, 2002
P/N: PM0515
MX29F001T/B
Revision
Description
Page
Date
2.0
1. To remove "Advanced Information" data sheet marking and
contain information on products in full production
2.The modification summary from Revision 0.0 to Revision 1.0:
2-1.Program/erase cycle times:10K cycles-->100K cycles
2-2.To add data retention 20 years
2-3.To remove A9 from the timing waveform of protection/
unprotection without 12V
2-4.Multi-sector erase time out:80ms-->30us
2-5.tBAL:80us-->100us
To modify "Package Information"
To corrected typing error
1. Add industrial grade spec
2. Modify maximum value measurement temperature from 25
°
C to 85
°
C P37
P1
DEC/21/1999
P1,38
P1,38
P32,33
P8
P16,17
P39~41
All
P13,38
2.1
2.2
2.3
JUN/14/2001
JUL/01/2002
JUL/09/2002
REVISION HISTORY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F004TQI-90 | EEPROM |
| MX29F004TQI-70 | EEPROM |
| MX29F004TQI-55 | EEPROM |
| MX29F004TQI-12 | EEPROM |
| MX29F004TQC-55 | EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F004TTC-55G | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F004TTC-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F004TTC-70G | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F004TTC-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F004TTC-90G | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY |
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