參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F002NBTC-12
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, MO-142, PLASTIC, TSOP1-32
文件頁(yè)數(shù)： 22/49頁(yè)
文件大?。?/td> 911K
代理商： MX29F002NBTC-12
22
REV. 1.1, JUN. 14, 2001
P/N: PM0547
MX29F002/002N
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS(I) for speed grade 70ns max.
SWITCHING TEST WAVEFORMS(II) for speed grade 55ns(MX29F002T/B-55)
2.0V
2.0V
0.8V
0.8V
TEST POINTS
2.4V
0.45V
AC TESTING: Inputs are driven at 2.4V for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are equal to or less than 20ns.
OUTPUT
INPUT
1.5V
1.5V
TEST POINTS
3.0V
0V
AC TESTING: Inputs are driven at 3.0V for a logic "1" and 0V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are < 5ns.
OUTPUT
INPUT
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
1.2K ohm
1.6K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance
CL=50pF for MX29F002T/B-55
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29F002NBTC-55 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NBTC-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002TPI-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NTPI-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002TPC-12 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MX29F002NBTC-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NBTC-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NBTC-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NBTI-12 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
MX29F002NBTI-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
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