參數(shù)資料
型號: MVDF1N05ER2G
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 1.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 帶卷 (TR)