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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MV1626 |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | 12 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 封裝： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | MV1626 |
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856 207-236-6076 FAX 207-236-9558
ABRUPT VARACTOR DIODES
MV1620 - MV1650
PART
CT DIODE CAPACITANCE
Q, QUALITY FACTOR
TR, TUNING RATIO
NUMBER
Vr = 4 Vdc, f = 1 MHz
Vr = 4 Vdc
C2V / C20V
(pF)
f = 50 MHz
f = 1 MHz
MIN
NOM
MAX
MIN
MAX
MV1620
6.1
6.8
7.5
300
2.0
3.2
MV1622
7.4
8.2
9.0
300
2.0
3.2
MV1624
9.0
10.0
11.0
300
2.0
3.2
MV1626
10.8
12.0
13.2
300
2.0
3.2
MV1628
13.5
15.0
16.5
250
2.0
3.2
MV1630
16.2
18.0
19.8
250
2.0
3.2
MV1632
18.0
20.0
22.0
250
2.0
3.2
MV1634
19.8
22.0
24.2
250
2.0
3.2
MV1636
24.3
27.0
29.7
200
2.0
3.2
MV1638
29.7
33.0
36.3
200
2.0
3.2
MV1640
35.1
39.0
42.9
200
2.0
3.2
MV1642
42.3
47.0
51.7
200
2.0
3.2
MV1644
50.4
56.0
61.6
150
2.0
3.2
MV1646
61.2
68.0
74.8
150
2.0
3.2
MV1648
73.8
82.0
90.2
150
2.0
3.2
MV1650
90.0
100.0
110.0
150
2.0
3.2
Package Style
DO-7
DC Power Dissipation
@ Ta = 25° C
400 mW
Min Reverse Breakdown Voltage
@ Ir = 10 A
20 Vdc
Max Reverse Current (IR)
@ 15 Vdc
0.1 A Max
Operating Temperature (Topr)
-65 to + 150° C
Storage Temperature (Tstg)
-65 to + 200° C
Junction Temperature
175° C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV1636 | 27 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| MV1644 | 56 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| MV1636 | 27 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| MV1640 | 39 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| MV1646 | 68 pF, 20 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MV1630 | 制造商:KNOX 制造商全稱:KNOX 功能描述:ABRUPT VARACTOR DIODES |
| MV1632 | 制造商:KNOX 制造商全稱:KNOX 功能描述:ABRUPT VARACTOR DIODES |
| MV1634 | 制造商:KNOX 制造商全稱:KNOX 功能描述:ABRUPT VARACTOR DIODES |
| MV1636 | 制造商:KNOX 制造商全稱:KNOX 功能描述:ABRUPT VARACTOR DIODES |
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