參數(shù)資料
型號(hào)： MURS120
元件分類(lèi)： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： SMB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： MURS120
Bulletin PD-20877 11/04
3
MURS120PbF
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values Of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 1 - Typical Forward Voltage Drop Characteristics
Reverse Voltage - V
R (V)
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Forward Voltage Drop - V
FM (V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
Reverse
Current
-
I
R
(A)
Reverse Voltage - V
R (V)
Junction
Capacitance
-
C
T
(pF)
Fig. 4 - Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics
t1, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
Z
thJL
(°C/W)
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
T = 175C
T = 150C
T = 25C
J
10
100
0
40
80
120
160
200
Tj = 25C
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC+ Tc
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
125C
100C
75C
50C
25C
Tj = 175C
150C
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PDF描述
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