參數(shù)資料
型號： MURB2020CT-1PBF
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： MODIFIED TO-262, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： MURB2020CT-1PBF
MUR2020CT, MURB2020CT, MURB2020CT-1
Bulletin PD-20729 rev. C 12/03
4
www.irf.com
Fig. 5 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D)
(see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = rated VR
Average
Power
Loss
(Watts
)
trr
(ns
)
Qrr
(nC
)
0
50
100
150
200
250
100
1000
IF = 20 A
IF = 10 A
IF = 5 A
V = 160V
T = 125C
T = 25C
R
J
0
10
20
30
40
50
100
1000
IF = 20 A
IF = 10 A
IF = 5 A
V = 160V
T = 125C
T = 25C
R
J
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
15
DC
RMS Limit
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
Average Forward Current - IF
(AV)(A)
Allowable
Case
Temperature
(°C)
130
140
150
160
170
180
0369
12
15
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
Rated Vr applied
Average Forward Current - IF
(AV)(A)
di F/dt (A/s )
di F /dt (A/s )
Fig. 8 - Typical Stored Charge vs. di F /dt
Fig. 7 - Typical Reverse Recovery vs. di F /dt
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PDF描述
MURB820TRRPBF 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MURC105 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MURS160-E3 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
MURS140E3 2 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
MURS360-E3 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
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