- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄31003 > MUR160-E3 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MUR160-E3 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | MUR160-E3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88684
22-Jul-05
MUR140 & MUR160
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, duty cycle
≤ 2 %
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Lead length = 3/8" on P.C. Board with 1.5" x 1.5" copper surface
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
MUR140
MUR160
Unit
Maximum
instantaneous forward
voltage(1)
at IF = 1.0 A
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
VF
1.25
1.05
V
Maximum
instantaneous reverse
current at rated DC
blocking voltage(1)
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
IR
5.0
150
A
Maximum reverse
recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
trr
50
ns
Maximum reverse
recovery time
at IF = 1.0 A, di/dt = 50 A/s,
VR = 30 V, Irr = 10 % IRM
trr
75
ns
Maximum forward
recovery time
at IF = 1.0 A, di/dt = 100 A/s,
recovery to 1.0 V
tfr
50
ns
Parameter
Symbol
MUR140
MUR160
Unit
Typical thermal resistance junction to ambient(1)
RθJA
50
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
2.0
3.0
0
25
50
75
100
125
150
175
A
verage
Forward
Rectified
Current
(A)
Ambient Temperature (°C)
1.0
PCB with 1.5" x 1.5"
copper pads
L = 3/8"
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
0
10
20
30
40
50
1
100
10
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
Number of Cycles at 50 HZ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR440E3 | 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| MURB1520PBF | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURB2020CT-1PBF | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MURB820TRRPBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURC105 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUR160-E3/1 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR160-E3/4 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR160-E3/51 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR160-E3/54 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MUR160-E3/73 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 50ns 35 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。