參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5231T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 12/39頁
文件大小： 377K
代理商： MUN5231T3
MUN5211T1 SERIES
2–770
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (VCB = 50 V, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (VCE = 50 V, IB = 0)
ICEO
—
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
MUN5211T1
(VEB = 6.0 V, IC = 0)
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
IEBO
—
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 10 A, IE = 0)
V(BR)CBO
50
—
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) (IC = 2.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
50
—
Vdc
ON CHARACTERISTICS(3)
DC Current Gain
MUN5211T1
(VCE = 10 V, IC = 5.0 mA)
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
hFE
35
60
80
160
3.0
8.0
15
80
60
100
140
350
5.0
15
30
200
150
—
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.3 mA)
(IC = 10 mA, IB = 5 mA) MUN5230T1/MUN5231T1
(IC = 10 mA, IB = 1 mA) MUN5215T1/MUN5216T1
MUN5232T1/MUN5233T1/MUN5234T1
VCE(sat)
—
0.25
Vdc
Output Voltage (on)
(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 k)
MUN5211lT1
MUN5212T1
MUN5214T1
MUN5215T1
MUN5216T1
MUN5230T1
MUN5231T1
MUN5232T1
MUN5233T1
MUN5234T1
(VCC = 5.0 V, VB = 3.5 V, RL = 1.0 k)
MUN5213T1
VOL
—
0.2
Vdc
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
s, Duty Cycle < 2.0%
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