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參數資料
| 型號： | MUN5230T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | FERRITE SNAP-ON CORE 140 OHM WHT |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | MUN5230T1 |
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5214T1
10
1
0.10
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20
40
50
60
70
80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
25
°
C
IC/IB = 10
TA= –25
°
C
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
VO = 0.2 V
TA= –25
°
C
75
°
C
VO = 5 V
25
°
C
75
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MUN5230T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5231 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5231DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k |
| MUN5231DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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