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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5216T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 35/39頁 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5216T3 |
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MUN5211T1 SERIES
2–773
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5212T1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
100
10
1
100
75
°C
25
°C
100
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
10
TA = –25°C
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
TA = –25°C
75
°C
10
1
0.1
10
20
30
40
50
25
°C
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.001
V
CE(sat)
,MA
X
IM
U
M
COLLECT
OR
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
TA = –25°C
75
°C
25
°C
0.01
0.1
1
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
0
10
203040
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
IC/IB = 10
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5311DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5313DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5314DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5315DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5330DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5230 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5230DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5230DW1T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5230DW1T1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5230T1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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