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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5215T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | MUN5215T1 |
6
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5213T1
V
I
h
Figure 12. VCE(sat) versus IC
0
2
4
6
8
10
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
Figure 13. DC Current Gain
Figure 14. Output Capacitance
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
100
101
100
25
°
C
75
°
C
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 16. Input Voltage versus Output Current
0
20
40
50
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
25
°
C
75
°
C
VC
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB = 10
TA= –25
°
C
TA= –25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5230T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5212T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5231T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5233T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
| MUN5234T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5215T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5216 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN5216DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5216DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5216DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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