參數(shù)資料
型號: MUN5214DW1T1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Dual Bias Resistor Transistors
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大?。?/td> 230K
代理商: MUN5214DW1T1
11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 419-02
ISSUE H
SC–70/SOT–323
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
MIN
0.071
0.045
0.035
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.079
0.012
MAX
0.087
0.053
0.049
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.90
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
2.00
0.30
MAX
2.20
1.35
1.25
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.039
0.087
0.016
1.00
2.20
0.40
0.05 (0.002)
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5214DW1T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5214T1 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5214T1G 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5215 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors
MUN5215DW 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors