參數(shù)資料
型號(hào)： MUN5213
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors
中文描述： 雙偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： MUN5213
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5212T1
V
I
h
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
100
101
100
75
°
C
25
°
C
100
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
10
TA= –25
°
C
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
TA= –25
°
C
75
°
C
10
1
0.1
10
20
30
40
50
25
°
C
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.001
V
TA= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
0.01
0.1
1
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
50
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
IC/IB = 10
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
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MUN5213DW1T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MUN5213DW1T3G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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