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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5115T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | MUN5115T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
8
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS – MUN5114T1
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
0
246
8
10
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
4
6
8 1015 2025 3035 4045 50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
V CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
-25°C
25°C
TA =75°C
VCE = 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2
4 6
8
15 20 40 50 60 70 80 90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
LOAD
+12 V
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current Source
Typical Application
for PNP BRTs
25°C
IC/IB = 10
TA =-25°C
TA =75°C
25°C
-25°C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
25°C
TA =-25°C
75°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5135T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5114T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5131T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5115T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN5116 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5116DW | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
| MUN5116DW1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MUN5116DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5116DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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