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參數(shù)資料
| 型號： | MUN5112T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | MUN5112T3 |
MUN5111T1 Series
http://onsemi.com
10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5137T1
Figure 28. Maximum Collector Voltage versus
Collector Current
Figure 29. DC Current Gain
Figure 30. Output Capacitance
Figure 31. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 32. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
35
30
25
20
15
10
5
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
0.01
1000
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
1.4
0.6
60
50
40
30
20
10
0
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.2
0.4
0.8
1.0
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
11
9
8
7
100
15
10
5
0
1
10
20
25
V
in
,INPUT
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
50
45
40
0.1
0.01
10
1.2
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
75
°C
25
°C
TA = –25°C
VO = 5 V
75
°C
25
°C
TA = –25°C
VO = 0.2 V
75
°C
25
°C
TA = –25°C
IC/IB = 10
VCE = 10 V
75
°C
25
°C
TA = –25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MUN5137T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5135T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5130T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5111T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5115T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MUN5113 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon |
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| MUN5113DW1T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN5113DW1T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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