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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2234T3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | MUN2234T3 |
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MUN2211T1 SERIES
2–740
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k) MUN2230T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k)
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2233T1
VOH
4.9
—
Vdc
Input Resistor
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
MUN2216T1
MUN2230T1
MUN2231T1
MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
15.4
10
22
47
10
4.7
1.0
2.2
4.7
22
13
28.6
61.1
13
6.1
1.3
2.9
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2211T1/MUN2212T1/MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1/MUN2216T1
MUN2230T1/MUN2231T1/MUN2232T1
MUN2233T1
MUN2234T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0
– 50
0
50
100
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(MILLIW
A
TTS)
R
θJA = 625°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2231T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2230T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2235T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B |
| MUN2236 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
| MUN2236T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2236T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2237 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
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