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參數(shù)資料
| 型號： | MUN2230T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | COUNTER DIGITAL 240VAC OCT 11PIN |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | MUN2230T1 |
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2214T1
10
1
0.10
10
20
30
40
50
100
10
10
2
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
I
h
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
VC
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°
C
25
°
C
TA= 75
°
C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20 40
50
60
70
80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
IC/IB = 10
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
VO = 5 V
VO= 0.2 V
TA= –25
°
C
25
°
C
75
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2214T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2213T1 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2214 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2215 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2216 | NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MUN2230T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2231 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2231RT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2231T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MUN2231T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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